[물리전자공학] 에너지에 따른 전자의 농도를 구해보자
D=(8√2 π)/h^3 (m^* )^(3/2) (E_kin )^(1/2), N_C=(4√2(〖πm^* kT)〗^(3/2))/h^3 , E_kin=E-E_C, m=1.08m_0, m_0=9.019*10^31 [kg] 페르미-디락 분포 : f(E)=1/[1+e^((E-E_F)/kT)] 맥스웰-볼츠만 근사 : 〖f(E)=e〗^(-(E-E_F)/kT) E_F가 다음 세 위치 (E_C-E_F=10kT,5kT,0kT)에 있고 상온에서 kT=0.02585 [eV]이다. 페르미-디락 분포와 맥스웰-볼츠만 근사식을 이용해 상온에서 E_C-E_F=10kT,5kT,0kT 각각의 경우에 대해 전자 상태가 채워질 확률을 구해보자. E_F=[10kT,5kT,0kT]-E_C , E_kin-E=E_C 페르미-디락 : f(E)=1/..
